測(cè)試主機(jī)
GaN
Power Device
QT-8400由測(cè)試主機(jī)與測(cè)試站Test Kit組成,
其中Test Kit分為兩種: Power Device Test Kit & GaN Test Kit。
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Power Device Test Kit
面向MOSFET/SIC、二極體、三極管等CP測(cè)試需求的 Power Device Test Kit.
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GaN Test Kit
面向氮化鎵測(cè)試需求的 GaN Test Kit.
站坐快速切換
用戶體驗(yàn)
* 已申請(qǐng)專利
站坐快速切換
使用者體驗(yàn)
* 已申請(qǐng)專利
QT-8400 GaN |
QT-8400 D |
測(cè)試範(fàn)圍專用於氮化鎵動(dòng)靜態(tài)電參數(shù)測(cè)試 |
測(cè)試範(fàn)圍專用於 MOSFET/SIC 、二極體、三極管、IGBT等 CP測(cè)試。 |
參數(shù)指標(biāo)
懸浮 V/I 源 |
參數(shù)指標(biāo)
懸浮 V/I 源 |
平行測(cè)試數(shù)2/4/8/16 Site |
平行測(cè)試數(shù)2/4/8/16 Site |
可擴(kuò)充動(dòng)態(tài)模組
LCR測(cè)試模組(CG) |
可擴(kuò)充動(dòng)態(tài)模組
雪崩測(cè)試模組(UIS、EAS) |
可擴(kuò)充高壓/直流模組最高可擴(kuò)展8KV, 2KA |
可擴(kuò)充高壓/直流模組最高可擴(kuò)展8KV, 2KA |
精準(zhǔn)測(cè)量Power Device Test Kit內(nèi)建精密測(cè)量電路,實(shí)現(xiàn)nA級(jí)和mΩ級(jí)的精準(zhǔn)測(cè)量。 |
精準(zhǔn)測(cè)量GaN Test Kit內(nèi)建精密測(cè)量電路,實(shí)現(xiàn)nA級(jí)和mΩ級(jí)的精準(zhǔn)測(cè)量。 |
內(nèi)建示波器圖
AWG編輯器
專為測(cè)試&生產(chǎn)而設(shè)計(jì)
* 已申請(qǐng)專利
中國廣東省佛山市南海國家高新區(qū)新光源產(chǎn)業(yè)基地光明大道16號(hào) | |
0757 83207313 (銷售) | |
0757 83208786 (銷售) | |
info@powertechsemi.com |